MSRTA6001R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
BAT85S-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
MSRTA6001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ES3F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 300 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
FST160100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RGP15K-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1.5 A
MBRT20080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S3MBHR5G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 3 A
MBR40020CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N5398GP-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.5 A
MBR30020CTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS1FH6HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
MBRT20030R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N4383GP-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MBRT300200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MSRT15060AD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
FR2K · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
ER3GHE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A