ESH3C-M3/57T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
Productos
MBRT60035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB558VYM150FHTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 500 MA
MSRTA300140AD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ESH3B-M3/9AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
MBRT20030 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1PS79SB70 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
JANTXV1N5712UBD/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 75mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SE40PDHM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 4 A
MBRT60020 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RBS1LAM40ATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 380 MV @ 1 A
MBR40080CTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SE100PWJ-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.14 V @ 10 A
MBRT400200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SA2B-E3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Phoenix Contact
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -20°C ~ 50°C
RR2L6SDDTE25 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
SB830F_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 8 A