BYV34-600 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Productos
BY203-12STAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 700 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.4 V @ 200 MA
MBR3045PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Configuración de diodos
- 2 independientes
GL41YHE3/96 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 1600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
SK4050CD2-3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
31GF4-M3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
MBR20200CTS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
UF4005-M3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
MBRL3045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBR2035CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Configuración de diodos
- 2 independientes
ES3BHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
NRVUS1BFA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A
MBR10200CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
AU2PG-M3/86A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.9 V @ 2 A
MBR3035PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Configuración de diodos
- 2 independientes
MURS360B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
STTH1602CFP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C
AU2PD-M3/87A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.9 V @ 2 A