301CNQ040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
Productos
VS-8EWS12STR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
16CTQ080STRR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
LSC02120FW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 128 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.6 V @ 2 A
15CTQ035STRR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S4D05120E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 5 A
203CMQ100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
STBR3008G2Y-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 30 A
43CTQ100STRR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
V35PW22HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 990 MV @ 35 A
43CTQ100-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
VS-10ETF10-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.33 V @ 10 A
63CPQ100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
STTH806D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 8 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.85 V @ 8 A
12CWQ06FNTRR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-2EFU06HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 2 A
201CNQ035 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
TSUP15M45SH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 350 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 15 A