V3PM10HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 560 MV @ 1.5 A
Productos
VS-MBRB20100CTPBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1N4448TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 720 MV @ 5 MA
BAR43S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
CS2K-E3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2 A
MBR6045WTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
1N4933-T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
DA221MT2L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MRA4005T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VS-30CTQ050PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
GS1M · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAV70DXV6T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT)
BAT43WS-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
MURHB860CTT4G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 4A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
CTS520 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
RB085T-90 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BYM10-600-E3/96 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VS-25CTQ035PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C