PMEG6020ETP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 2 A
Productos
BYT28B-300HE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
HER203G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 2 A
FEPF6ATHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
PMEG6030EP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 3 A
MBR25H35CT-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
B340A-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 3 A
BYT28-300-E3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MURS340T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
MBR15H60CTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
B530C-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 5 A
FEPF16CTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS1P3L-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
MBR2535CTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MUR410RLG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 890 MV @ 4 A
MBR1560CTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
STPS3L60S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 55 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 3 A
FEPF16ATHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C