SBT80-10LS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Productos
BAS16GWJ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
UGF10BCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SBR2U150SA-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 75 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 2 A
DA3X101F0L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MSKD36-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 36A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 100 A
CMF04(TE12L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 500 MA
SBT100-16JS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS316Z · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
UGB18DCTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 18A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
RB162LAM-40TFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1N3595 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 NA @ 125 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
SBR30A100CTE · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
BAS3005A02VH6327XTSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 500 MA
MSCD60-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 60A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 200 A
RB501V-40_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 100 MA
V40100K-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N5061TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2.5 A