CDBD2020-HF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
Productos
BAV19W-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
STTH200W06TV1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
D16-4150E3/TU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
BAV19WS-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBR40045CTS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 400A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
VS-MBRB745-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 570 MV @ 7.5 A
NXPS20S100C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
RB540VM-30FHTE-17 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA
SR20200-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB520CM-60T2R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 3 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 440 MV @ 10 MA
MMBD5004A-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BYV79E-200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 14 A
MURT40005 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SD103BWS-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
DSSK28-006BS-TUB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- IXYS
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS40W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA