ES1GL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
Productos
VS-MBR2535CT-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SS2003M-TL-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.25 MA @ 15 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 400 MV @ 2 A
1N6660 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SMMSD914T1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
MBRB25H50CTHE3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SE15PJ-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1.5 A
VS-MBR3045CT-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
PUAD4BH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 4 A
VIT1060CHM3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS86-GS08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 100 MA
VS-HFA16TA60C-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 8 A
CUHS15F40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 1.5 A
STPSC16H065CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
MBRAD8150H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 8 A
VS-MBR2035CT-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
VS-2EQH02HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
VI40100CHM3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C