GL34G-E3/98 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 500 MA
Productos
BYG22D-E3/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
MB30H90CTHE3_A/P · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
MBRTA60035L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS21-QVL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBRB2035CTHE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
AU1PK-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.85 V @ 1 A
MBR20150CT-G1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAL99TB_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
MBRTA60030L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1PS74SB23 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
BAS21UE6359HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 125mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SE50PAJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.16 V @ 5 A
MB20H90CTHE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
1N4448WS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
UFT14060 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRTA60020L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
AU1PJ-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A