SB120-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 1 A
Productos
MBR1645-2HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
S2A-LTP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2 A
SRF1640 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
MBR10100-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 10 A
FES16JT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
CRG07(TE85L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 700 MA
SR4060PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S1FLD-M-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
FEP16JT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
FERD40H100SFP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 190 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 675 MV @ 20 A
SRF1620 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
US1BAFC_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
FEP16HT-5410HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
AR1FJ-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1 A
SR3090PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VT3045BP-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 30 A
FEP16GT-1HE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C