VS-APH3006-N3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.65 V @ 30 A
Productos
MBRF10200CTC0 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
VS-1EAH02-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 970 MV @ 1 A
DD800S33K2CNOSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 3.5 V @ 800 A
BAS16WH6433XTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
DD600N16KAHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 600A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
1N5804 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
MBR20150CTC0 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MSS1P6HM3J_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 1 A
1N5391-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.5 A
UGB15HTHE3/45 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 500 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RS1KM · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
DD104N14KAHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 104A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
IDH05G120C5XKSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 33 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 5 A
DD350N14KHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 350A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
FR2MBFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
DD104N12KHPSA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 104A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
BAV3004WS-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA