JAN1N5712UB · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 35 MA
Productos
1N6702US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 470 MV @ 5 A
LM2902AQT14-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de alimentación
- 1 MA
- Corriente de polarización de entrada
- - 20 NA
JANTX1N6642UBCC · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
1N3650 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.2 V @ 10 A
AS321KTR-E1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de alimentación
- 350 UA
- Corriente de polarización de entrada
- 20 NA
UES1305E3/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
JANTXV1N5711UR-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 410 MV @ 1 MA
JANS1N6643 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
VS-150KR30A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 35 MA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.33 V @ 471 A
UES1305 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 300 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
JANTX1N6631U/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 4 µA @ 1 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.4 A
VS-T70HFL40S02 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 200 Ns
UES1303/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 925 MV @ 6 A
JANTXV1N6642UBCC/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
JAN1N5195 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
JANTX1N6631U · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 4 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.4 A
LM2902PT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- ROHM Semiconductor
- Corriente de alimentación
- 0.7 MA
- Corriente de polarización de entrada
- 20 NA