· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 500 MA
Productos
PDS5100Q-13D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 790 MV @ 5 A
MBR15U150-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 15 A
SDURF840 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 8 A
SE07PD-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 700 MA
MBRF10100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 10 A
V20KM60HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 20 A
RS2KFSH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
V15PM45HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 700 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 15 A
SS1FN6HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 800 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
PDU620-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 940 MV @ 6 A
TPAU3J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.88 V @ 3 A
SE70PJHM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 7 A
SS13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
V10P6HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.9 MA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 590 MV @ 10 A
RF501BM2SFHTL · Componentes electrónicos
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- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 5 A
MCL101B-TR3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 15 MA
V12PM10-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 12 A