SS1P4L-M3/85A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 1 A
Productos
UF808_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 8 A
MCP6542-E/MS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de polarización de entrada
- 1 PA
- Temperatura mínima de funcionamiento
- - 40 C
SS1H6LS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
UF804F_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 8 A
RB160VA-40TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 700 MA
PMEG6020EP-QX · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 2 A
SE12DTJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 12 A
UG2D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
CD214B-FS2D · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Bourns Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
PMEG050V030EPEZ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 3 A
SE12DLGHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 12 A
PU1BMH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1 A
V8PL63HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 180 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 8 A
MPG06GHE3_A/100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
PU1DMH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1 A
SE30AFBHM3/6B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
ER804F_T0_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 8 A