LM339QT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de alimentación
- 1.1 MA
- Corriente de polarización de entrada
- 25 NA
Productos
BYG22A-M3/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
VS-1ENH02-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 1 A
WNSC2D12650TJ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 12 A
B260AQ-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
SK54BFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 5 A
MCP6546T-E/OT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de polarización de entrada
- 1 PA
- Temperatura mínima de funcionamiento
- - 40 C
WNSC6D10650Q · Componentes electrónicos
- Fabricante
- WeEn Semiconductors
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.45 V @ 10 A
VS-10MQ060-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 710 MV @ 1.5 A
ES3JB-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
US1K-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
RS3J-M3/57T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2.5 A
FFSB0465A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 MA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.75 V @ 4 A
HS1JAL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
SS23HE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A
VS-8EWS16STR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 1600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
SS16FL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
S3DHM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 2.5 A