JANTXV1N6640US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- MACOM Technology Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 90 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
Productos
SK38HE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 3 A
CBS05F30 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
VS-C40CP07L-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 20 A
MURS4J-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.28 V @ 4 A
LM339APW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Corriente de alimentación
- 500 UA
- Corriente de polarización de entrada
- 50 NA
VS-1EQH02-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 970 MV @ 1 A
LSIC2SD065D20A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Littelfuse Inc.
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 45 A
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 0 Ns
SK56C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 5 A
RGP10G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
STPSC20H12G-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 120 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 20 A
VS-1EQH01-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 970 MV @ 1 A
RSFGLHR3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 500 MA
APT10SCD120K · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 10 A
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 0 Ns
V1P22HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 1 A
RS1JLHR3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
VS-3C20ET07S2L-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 650 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 20 A
SS1H10-E3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 770 MV @ 1 A