JANS1N5420US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 9 A
Productos
JANS1N5418US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N5822US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
SD24145C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 30 A
JANS1N6642UBD/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
MBRH200150R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 200 A
VS-SD1100C08C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 35 MA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.31 V @ 1500 A
MBRH200200R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 200 A
MBRH200150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 200 A
MBRH20060R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 200 A
JANS1N5415US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 9 A
MBRH20080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 200 A
SD41 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 30 A
MBRH20060 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 200 A
JANTX1N1190R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1202A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.3 V @ 240 A
JAN1N5822US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A